Забезпечує її адаптивність до різноманітних застосувань у




НазваниеЗабезпечує її адаптивність до різноманітних застосувань у
страница3/30
Дата публикации19.06.2013
Размер4.41 Mb.
ТипДокументы
zadocs.ru > Астрономия > Документы
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   30

В:\КАТ1\КАТ2


Поточним диском є жорсткий диск В. Поточним каталогом каталог другого рівня КАТ2, входить в каталог першого рівня КАТ1, який, в свою чергу, зареєстрований в головному каталозі.
Можливі три варіанти організації шляху доступу до файла в залежності від місця його реєстрації:

  • файл знаходиться в поточному каталозі (шлях відсутній). При організації доступу до файла досить указати його повне ім'я;

  • файл знаходиться в пасивному каталозі одного з нижніх рівнів, підлеглого поточному каталогу. При організації доступу до файла необхідно указати шлях, в якому перераховані всі імена каталогів нижнього рівня, лежачих на цьому шляху (включаючи каталог, в якому зареєстрований даний файл);

  • файл знаходиться в пасивному каталозі на іншій гілці по відношенню до місцезнаходження поточного каталога ієрархічної структури. При організації доступу до файла необхідно указати шлях, починаючи з головного каталога, тобто з символа \. Це пояснюється тим, що в ієрархічній структурі рушення можливе тільки по вертикалі зверху-вниз. Горизонтальні переходи з каталога в каталог недопустимі. У нижчеприведений прикладах ілюструються можливі варіанти шляху.


Познайомившись з поняттям шляху, повернемося до введеного поняття специфікації файла. Існує скорочена специфікація файла і повна специфікація файла, в утворенні якої бере участь шлях. На мал. 4 показані варіанти правила утворення специфікації файла.



Приклад 12. Скорочена форма специфікації файла С:\KIT.BAS

Файл з програмою на Бейсике KIT.BAS знаходиться в головному каталозі жорсткого

диска.

Повна форма специфікації файла

С:\КАТ1\КАТ2\ВООК1.ТХТ

Текстовий файл ВООК1.ТХТ зареєстрований в каталозі другого рівня КАТ2 жорсткого диска З.

^ Структура записів в каталозі

Тепер вам познайомимося зі структурою записів, що зберігаються в каталозі з відомостями про файли і підкаталоги нижнього рівня.

^ Запис про файл в каталозі містить ім'я і тип файла, об'єм файла в байтах, дату створення, час створення і ще ряд параметрів, необхідних операційній системі для організації доступу.

^ Запис про підкаталог нижнього рівня в батьківському каталозі містить його ім'я, ознаку , дату і час створення.

Розглянемо можливі варіанти каталога, що міститься. 1- й в а р і а н т. У каталозі зберігаються тільки записи про файли (мал. 5). Перед записами про файли виводиться повідомлення про назву каталога. У цьому випадку це головний каталог гнучкого диска А. У кінці каталога, що міститься виводиться повідомлення про кількість файлів, що зберігаються на диску, і про вільний простір диска в байтах. Наприклад, в каталозі, що приводиться вище виводиться повідомлення:

4 file(s) 359560 bytes free

Кількість файлів на диску Об'єм вільного простору диска, байт

2 варіант. У каталозі зберігаються тільки записи про каталоги нижнього рівня

Directory of a:\



Назва каталога





autoexec

bat

365

12-13-97

10:20

config format

sys corn

99 8450

03-05-96 05-10-86

11:05 09:10

graf

bas

11600

01-10-95

12:00




МАЛ. 5. У головному каталозі зберігаються тільки файли



Directory ofC:\

command

Сом

23450

12-06-96

11:45

config kniga BASIC

sys txt

12600 268500

09-25-97 07-03-97 03-25-95

09:30

LEXICON





01-10-95

10:20













11:10













10:10


^ 3 files 2657500 bytes free

МАЛ. У головному каталозі зберігаються файли і підкаталоги

У кінці каталога, як і в попередньому випадку, ви побачите аналогічну розглянутої вище запис про об'єм вільного простору на диску.

3- й варіант.У каталозі зберігаються записи як про файли, так і про каталоги нижнього рівня (мал. 7). З цієї структури видно, що в даному каталозі є 3 файли і 2 каталоги нижнього рівня BASIC і LEXICON. На диску вільного простору 2,6575 Мбайт.

Розглянуті вище три варіанти представлення каталогів відображають вміст головного каталога. Структура каталогів, починаючи з 1-го рівня і нижче, ідентична і відрізняється від головного тільки тим, що перед записами про файли і каталоги нижнього рівня вміщуються два записи з крапки (мал. 9.8).

Точки, які ви бачите спочатку, означають, що на екран викликаний вміст підкаталогу (каталога 1-го рівня) KNIGA, який містить два текстових файли SVET і TON.

^ Directory of B:\KNIGA

11-12-90 09:40 10-10-91 08:30 svet txt 55700 04-04-90 10:05 ton txt 60300 03-05-91 11:20 2 files 912348 bytes free

МАЛ. Структура записів в підкаталозі

Як звертатися до групи файлів

Часто виникає ситуація, коли треба працювати не з одним файлом, а з групою файлів.

Приклад 5. Операції з групою файлів:

• копіювання групи файлів з одного диска на інший;

• видалення групи файлів;

• переміщення групи файлів на інший диск,

• пошук групи файлів заданого типу і т.п.

Ці операції досить легко виконати, користуючись при формуванні імен і типів файлів шаблоном.

^ Шаблон імені файла спеціальна форма, в якій в полях імені і типу файла використовуються символи * або ? .

Символ * служить для заміни будь-якої послідовності символів. У шаблоні може бути використано в полі імені і типу по одному символу *.

Приклад 6. Задавши ім'я *.ТХТ, ви звернетеся до всіх текстових файлів. Задавши ім'я SD*.*, ви звернетеся до всіх файлів, ім'я яких починається на SD.

Символ ? служить для заміни одного символа. У шаблоні може бути використано декілька таких символів.

Приклад 7. Ім'я RT??.BAS дозволить звернутися до всіх файлів типу BAS, ім'я яких складається з чотирьох символів, причому перші два символи обов'язково RT, третій і четвертий будь-який..


  1. Оперативна пам’ять.


^ Оперативная память

Среди компьютерщиков бытует выражение: «Памяти много не бывает». Это полушутливое утверждение ежедневно подтвер­ждается притязаниями на все больший объем памяти со сто­роны вновь выходящих программ. Уже не кажется безумной рекомендация иметь в компьютере гигабайт оперативной памяти, чтобы комфортно играть в авиационный симулятор. Не меньшие запросы и у профессиональных программ, осо­бенно работающих с графикой.

К счастью, современное состояние рынка модулей памяти бла­гоприятно для пользователей: технологии неуклонно развива­ются, а цены снижаются. Такая тенденция сохранится и в обо­зримом будущем, поскольку готовые к промышленному производству революционные технологии в ближайшие годы вряд ли появятся. Сейчас практически определились стандар­ты на типы памяти, которые ориентированы на определенные сферы применения. Для дешевых систем это синхронная дина­мическая память с произвольным доступом (SDRAM), для основной массы ПК — память с удвоенной частотой обмена дан­ными ^ (DDR SDRAM), для серверов и мощных рабочих стан­ций — память компании Rambus (RDRAM).

Таким образом, конфигурирование подсистемы памяти сво­дится к следующим этапам: выбору типа памяти, согласова­нию производительности (балансировке) подсистемы памяти и процессора, определению необходимого объема, выбору кон­кретных модулей памяти. Эти этапы в значительной степени перекликаются с рассмотренными ранее методиками подбора процессора и системной платы, поскольку касаются конфигу­рирования платформы в целом. В частности, выбор типа памяти происходит уже на этапе выбора системной платы, а балансировка производительности связана с выбором процес­сора. В принципе, для конфигурирования компьютера этого достаточно, однако далее мы будем рассматривать проблемы оптимальной настройки системы, поэтому есть смысл напом­нить некоторые базовые понятия.

^ Основы динамической памяти

Двоичные нули и единицы в динамической памяти представ­лены уровнем напряжения в ее ячейках. Каждая ячейка состоит из транзистора и конденсатора. Наличие заряда на кон­денсаторе определяет, заперт транзистор или нет и, соответ­ственно, состояние ячейки. Однако заряд с миниатюрного кон­денсатора утекает достаточно быстро даже через запертый транзистор. Поэтому ячейки требуют периодического обнов­ления (перезарядки).

Ячейки собраны в двумерный массив, что облегчает их адреса­цию по номерам строк и столбцов. При обращении к ячейке динамической памяти сначала производится перезарядка, затем выборка строки и выборка столбца. Если число массивов велико, их группируют в банки. Это дает возможность уско­рить обмен данными, например, выполняя считывание данных из одного банка и одновременно перезаряжая другой. Однако разбиение на банки вынуждает вводить дополнительную опе­рацию выборки банка.

Перечисленные принципы лежат в основе любого типа дина­мической памяти (DRAM). В настоящее время в персональных компьютерах в качестве оперативной применяют только синхронную динамическую память (SDRAM). Главное преиму­щество SDRAM заключается в способности обрабатывать сле­дующие обращения к памяти, не дожидаясь окончания пре­дыдущей операции. При обращении к памяти команды и данные синхронизируются по фронту тактового сигнала. Пакетная передача данных, считанных из ячеек памяти, начи­нается после обработки команд выборки строки и столбца (на каждую из них уходит по два такта). Данные выдаются на каж­дом такте, причем команда выборки следующего столбца поступает еще до окончания выдачи первого пакета данных. Так работает память SDRAM.Принцип работы памяти SDRAM

Прямой преемницей SDRAM стала память с удвоенной частотой передачи данных — ^ DDR (Double Data Rate) SDRAM. В памяти этого типа обработка.команд происходит по-прежнему син­хронно с фронтом тактового сигнала, а вот передача данных синхронизируется как с фронтом, так с тылом тактового импульса. Другой важной особенностью памяти ^ DDR SDRAM является архитектура с двукратной выборкой. Суть ее в том, что разрядность шины данных внутри модуля памяти в два раза больше, чем внешней шины. Тем самым обмен данными происходит пакетами, состоящими минимум из двух блоков, разрядность каждого из которых совпадает с разрядностью внешней шины.

Тактовый сигнал DDR SDRAM является дифференциальным и состоит из двух составляющих: обычной и находящейся к ней в противофазе. Синхронизирующим сигналом служит момент пересечения двух частей. Дифференциальный сигнал эффективно компенсирует дрожание тактовой частоты и позволяет использовать меньшие напряжения и, следовательно, более высокие тактовые частоты.

Модуль памяти DDR SDRAM обычно содержит восемь чипов памяти разрядностью 8 бит каждый, что при параллельном соединении дает 64-битную шину данных. Данные записыва­ются побитно во все чипы одновременно. Каждая микросхема состоит из четырех банков, поэтому на модуле памяти образу­ется четыре 64-битных банка. Управляющие и адресные сиг­налы поступают на все чипы модуля по одной адресной шине. В итоге получается ассиметричная архитектура: узкая адрес­ная шина и широкая шина данных, что снижает быстродей­ствие.

Память типа Rambus DRAM заметно отличается от рассмотрен­ной выше DDR SDRAM по своей архитектуре. Чипы в модуле подключаются к каналу, состоящему из 16-битных шин адре­сов и данных. Шины синхронизируются одинаково, поэтому нагрузка распределяется равномерно. Каждый чип хранит дан­ные в своем диапазоне адресов, то есть обмен с ним происходит независимо от других чипов. Так как чип разделен на четыре банка, на модуле с восемью микросхемами образуется 32 неза­висимых банка памяти.

Перспективным видом памяти считается DDR-II SDRAM, вне­дрение которого ожидается не ранее 2004 года. Характерной особенностью такой памяти является удвоение частоты буфе­ров ввода-вывода при неизменной внутренней частоте ядра. При этом за каждый такт передается два блока данных (как в обычной памяти DDR). В итоге по сравнению с частотой син­хронизации ядра ввод-вывод данных осуществляется на четы­рехкратной скорости. Хотя благодаря этому ухищрению ско­рость потокового ввода-вывода действительно учетверяется, величина задержек (латентность) определяется преимуще­ственно собственной частотой ядра, а она для памяти DDR-II 400 МГц, как и для DDR SDRAM 200 МГц, и «старушки» РС100 SDRAM, по-прежнему равна 100 МГц. Отсюда необычно большие тайминги для новых видов памяти по сравнению с обычной SDRAM. Например, 4-4-4 для DDR-II 400 МГц соот­ветствует циклу 2-2-2 для DDR 200 МГц или PC 100 SDRAM, что составляет 20 не.

Так как архитектура DRAM позволяет проводить с банком в каждый момент времени только одну операцию чтения или

Сравнение типов памяти

записи, в случае поступления запроса на противоположную операцию с банком она не может быть начата до завершения текущей. Если банков на модуле всего четыре (как в памяти SDRAM или DDR SDRAM), вероятность возникновения на реальных задачах таких конфликтов доступа весьма высока. Память RDRAM в этом смысле более гибкая, так как вероят­ность возникновения конфликтов при обращении к произволь­ным адресам многочисленных банков гораздо ниже.

К основным характеристикам оперативной памяти относятся тактовая частота, время доступа, параметры задержек, объем,

число банков и некоторые другие. Тактовая частота обычно прямо указывается в спецификации на память и в маркировке модулей. Причем для памяти ^ DDR SDRAM указывают эффек­тивную частоту обмена данными, то есть удвоенную по сравне­нию с физической частотой синхроимпульсов. Время доступа характеризует пиковые значения (в наносекундах) при обра­щении к памяти и обычно указывается в маркировке микро­схем. Параметры задержек (иногда их называют таймингами) показывают, сколько тактов расходуется на обращение к про­извольно выбранной ячейке и на последующее считывание дан­ных в пакетном режиме. Например, запись 3-2-2 обозначает, что на первый пакет израсходовано три такта, а на все после­дующие — по два. Очевидно, что в случае перехода адреса цикл повторяется с теми же задержками

^ Физическая память

Процессор и архитектура системной платы (набора микросхем) определяют емкость физиче­ской памяти компьютера, а также типы и форму используемых модулей памяти. За прошедшие годы скорость передачи данных и быстродействие памяти значительно выросли. Скорость и разрядность памяти определяются процессором и схемой контроллера памяти. В современных компьютерах контроллер памяти включен в набор микросхем системной платы. В том случае, если система может физически поддерживать определенный объем памяти, тип программного обеспечения обуславливает уже более конкретные характеристики используемой памяти.

Объем физической памяти компьютера зависит от типа используемого процессора и архи­тектуры системной платы. В процессорах 8086 и 8088 с двадцатью линиями адреса объем памя­ти не превышает 1 Мбайт (1 024 Кбайт). Процессоры 286 и 386SX имеют 24 линии адреса и мо­гут адресовать до 16 Мбайт памяти. Процессоры 386DX, 486, Pentium, Pentium MMX и Pen­tium Pro имеют 32 линии адреса и могут взаимодействовать с памятью объемом до 4 Гбайт. Процессоры Pentium II/III/4, а также AMD Athlon и Duron имеют 36 линий адреса и в состоянии обрабатывать 64 Гбайт. Новый процессор Itanium, с другой стороны, имеет 44-разрядную адре­сацию, что позволяет обрабатывать до 16 Тбайт (терабайт) физической памяти!

Режим эмуляции процессора 8088 микропроцессорами 286 и выше называется реальным режимом работы системы. Это единственно возможный режим процессоров 8088 и 8086 в компьютерах PC и XT. В реальном режиме все процессоры, даже всемогущий Pentium, могут адресовать только 1 Мбайт памяти, при этом 384 Кбайт зарезервировано для системных нужд. Полностью возможности адресации памяти процессоров 286 и последующих могут быть реализованы только в защищенном режиме.

Системы класса P5 могут адресовать до 4 Гбайт памяти, системы класса P6/P7 — до 64 Гбайт. Если внедрить поддержку 64 Гбайт (65 536 Мбайт) памяти в современную систему, то ее стои­мость достигла бы примерно 70 тыс. долларов! Более того, объем наибольших модулей памяти DIMM, имеющихся на сегодняшний день, равен 1 Гбайт. Поэтому для установки 64 Гбайт опера­тивной памяти потребуется системная плата, содержащая 64 разъема DIMM. Следует заметить, что в большинстве систем поддерживается только до четырех разъемов DIMM.

Системные платы обычно содержат от трех до шести разъемов DIMM, которые позволя­ют при полном их заполнении достичь максимального объема 0,75-1,5 Гбайт. Максимальный объем установленной памяти определяется не процессором, а большей частью свойствами набора микросхем. Существующие процессоры позволяют адресовать, как уже отмечалось, до 64 Гбайт памяти, но возможности наборов микросхем ограничены объемом в 1 Гбайт.

Существует еще целый ряд определенных ограничений. Первые системы класса P5 появи­лись в 1993 году, но только с 1997 года (или даже позже) в этих компьютерах стали использо­ваться наборы микросхем системной логики, поддерживающие память SDRAM DIMM. Более того, наборы микросхем класса P5, например Intel 430TX, поддерживают теоретически 256 Мбайт оперативной памяти, а на самом деле не более 64 Мбайт, что связано с ограничением объема кэшируемой памяти. Так что для систем класса P5 более 64 Мбайт памяти следует уста­навливать только при условии, что кэш-память второго уровня конкретной системной платы сможет взаимодействовать с таким объемом памяти. Современные системные платы поддержи­вают, в зависимости от их разновидностей, до 256 и 512 Мбайт или 1 Гбайт RAM.

^ Модули SIMM и DIMM

Изначально оперативная системная память устанавливалась в виде отдельных микросхем, которые благодаря своей конструкции получили название микросхем с двухрядным располо­жением выводов (Dual Inline Package DIP). Системные платы оригинальных систем IBM XT и АТ содержали до 36 разъемов, предназначенных для подключения микросхем памяти. В дальнейшем микросхемы памяти устанавливались на отдельных платах, которые, в свою оче­редь, подключались в разъемы шины. Я до сих пор помню, сколько времени отнимала эта утомительная и однообразная работа.

При использовании микросхем DIP, требующих существенных затрат времени и сил, воз­никала еще одна печально известная проблема: через какое-то время, в результате термоди­намических циклов микросхемы памяти выходили из своих гнезд. Это было связано с перио­дическим нагреванием и охлаждением компьютера, возникающим при включении и выклю­чении питания. В конечном счете это приводило к потере контактов и появлению ошибок памяти. К счастью, для решения этой проблемы было достаточно повторно вставить микро­схему в соответствующее гнездо.

В одном из альтернативных вариантов микросхемы памяти впаивались в системную плату или плату расширения. Это позволяло избежать потери контактов и делало соединение более надежным, но в то же время вызывало другую проблему. При повреждении одной из микро­схем памяти на ее место приходилось впаивать другую или прибегать к замене системной платы или платы расширения, на которой она была установлена. В результате стоимость та­кой памяти была слишком высокой.

Модуль памяти, объединивший в себе все необходимые свойства, получил название SIMM. В современных системах используются модули памяти с однорядным расположением выводов (Single Inline Memory Module — SIMM), с двухрядным расположением выводов (Dual Inline Memory Module — DIMM) или, в качестве альтернативы отдельным микросхем памяти, модули RIMM. Модули памяти представляют собой платы небольшого размера, под­ключаемые в специальные разъемы системных плат или плат расширения. Микросхемы па­мяти впаиваются прямо в плату модуля, а потому их удаление или замена невозможны. По­этому в случае повреждения отдельной микросхемы придется заменить весь модуль памяти. По сути, модуль памяти можно считать одной микросхемой RAM большой емкости.

На сегодняшний день существует два основных типа модулей SIMM, два основных типа модулей DIMM и только один тип модулей RIMM. Все они используются в настольных сис­темах. Типы модулей различаются количеством выводов, шириной строки памяти или типом используемой памяти.

Существует, например, два основных типа модулей SIMM: 30-контактный (8 бит плюс 1 дополнительный бит контроля четности) и 72-контактный (32 бит плюс 4 дополнительных бита контроля четности), обладающие различными свойствами. 30-контактный модуль SIMM имеет меньшие размеры, причем микросхемы памяти могут быть расположены как на одной стороне платы, так и на обеих.

Также есть два типа модулей DIMM. Модули памяти DIMM обычно содержат стандартные микросхемы SDRAM или DDR SDRAM и отличаются друг от друга физическими характери­стиками. Стандартный модуль DIMM имеет 168 выводов, по одному радиусному пазу с каждой стороны и два паза в области контакта. Модули DDR DIMM, в свою очередь, имеют 184 вывода, по два паза с каждой стороны и только один паз в области контакта. Ширина тракта данных мо­дулей DIMM может быть равна 64 разрядам (без контроля четности) или 72 разрядам (с контро­лем четности или поддержкой кода коррекции ошибок ЕСС). На каждой стороне платы DIMM расположены различные выводы сигнала. Именно поэтому они называются модулями памяти с двухрядным расположением выводов. Эти модули примерно на один дюйм (25 мм) длиннее мо­дулей SIMM, но благодаря своим свойствам содержат гораздо больше выводов.

Модуль памяти RIMM также двухсторонний. На сегодняшний день существует только один 184-контактный модуль, имеющий по одному радиусному пазу с каждой стороны и два паза, расположенных в центральной части области контакта. Ширина тракта данных модуля RIMM достигает 16 (без поддержки кода коррекции ошибок) или 18 бит (с поддержкой кода коррекции ошибок).

На рис. 6.5-6.7 показаны типичные 30- и 72-контактные модули SIMM, а также 168-контактный модуль SDRAM DIMM.

Модули памяти весьма компактны, учитывая их емкость. В данный момент существует несколько их разновидностей, которые отличаются разной емкостью и быстродействием. В табл. 6.6 приведены емкости 30- и 72-контактных модулей SIMM, 168-контактных модулей DIMM и 184-контактных модулей RIMM.

Микросхемы динамической памяти (DRAM), установленные в модулях разных типов (SIMM, DIMM или RIMM), могут иметь различное быстродействие. Для модулей SIMM эта величина изменяется от 50 до 120 нс. Существуют различные версии модулей DIMM с часто­тами PC66, PC100 и PC133 (соответственно 66, 100 и 133 МГц). Модули памяти DDR DIMM имеют частоту PC 1600 и PC2100 (1600 и 2100 Мбайт/с соответственно).

Если в систему требуется установить память с определенной частотой, то всегда можно воспользоваться модулем, частота которого выше требуемой величины. Следует заметить, что каких-либо проблем при использовании модулей памяти с разной частотой обычно не возникает. Разница в их стоимости достаточно невелика, поэтому я обычно покупаю модули памяти, частота которых выше, чем это необходимо для выполнения определенных приложе­ний. Это позволяет использовать их при следующей модернизации системы.

Модули памяти DIMM и RIMM содержат в себе встроенное ПЗУ (ROM), передающее па­раметры синхронизации и скорости модулей, поэтому рабочая частота контроллера памяти и шины памяти в большинстве систем соответствует наименьшей частоте установленных мо­дулей DIMM/RIMM. Большинство модулей DIMM содержат микросхемы памяти SDRAM, т.е. передача данных происходит в виде высокоскоростных пакетов, использующих синхро­низируемый интерфейс. В модулях DDR DIMM также используются микросхемы SDRAM, но передача данных выполняется дважды в течение одного такта, т.е. вдвое быстрее. Микросхе­мы памяти SDRAM поддерживают частоту шины до 133 МГц, в то время как модули памяти DDR DIMM — до 266 МГц.

^ Таблица 6.6. Емкость модулей SIMM и DIMM

Емкость

Модули с контролем четности

Модули без контроля четности

^ 30-контактные модули SIMM







256 Кбайт

256 Кбайт×9

256 Кбайт×8

1 Мбайт

1 Мбайт×91

1 Мбайт×8

4 Мбайт

4 Мбайт×94

4 Мбайт×8

16 Мбайт

16 Мбайт×9

16 Мбайт×8

^ 72-контактные модули SIMM







1 Мбайт

256Кбайт×36

256 Кбайт×32

2 Мбайт

512Кбайт×36

512Кбайт×32

4 Мбайт

1 Мбайт×361

1 Мбайт×32

8 Мбайт

2Мбайт×36

2 Мбайт×32

16 Мбайт

4 Мбайт×364

4 Мбайт×32

32 Мбайт

8 Мбайт×368

8 Мбайт×32

64 Мбайт

16 Мбайт×36

16 Мбайт×32

128 Мбайт

32 Мбайт×36

32 Мбайт×32

^ 168-контактные модули DIMM







8 Мбайт

1 Мбайт×72

1 Мбайт×64

16 Мбайт

2 Мбайт×72

2Мбайт×64

32 Мбайт

4 Мбайт×72

4 Мбайт×64

64 Мбайт

8 Мбайт×72

8 Мбайт×64

128 Мбайт

16 Мбайт×72

16 Мбайт×64

256 Мбайт

32 Мбайт×72

32 Мбайт×64

512 Мбайт

64 Мбайт×72

64Мбайт×64

1024 Мбайт

128Мбайт×72

128Мбайт×64

^ 184-контактные модули RIMM







64 Мбайт

32Мбайт×18

32 Мбайт×16

128 Мбайт

64Мбайт×18

64Мбайт×16

256 Мбайт

128Мбайт×18

128Мбайт×16


Білет №5

  1. Команди для роботи з файлами в DOS.

^ ОСНОВНІ КОМАНДИ ДЛЯ РОБОТИ З ФАЙЛАМИ

Команда TYPE перегляд текстового файла

Командою TYPE зручно користуватися для перегляду текстового файла, що міститься на екрані дисплея або на принтері. Після запуску команди текст (вміст файла) виводиться безперервним потоком, причому швидкість зміни кадрів з текстом на екрані настільки велика, що прочитати його вельми скрутно. Для приостанова виведення натисніть одночасно дві клавіші . Натиснення будь-якої клавіші відновить виведення. Формат команди для виведення на екран

TYPE [ Ім'я дисковода: ][Шлях\] Повне ім'я файла 1 Формат команди для друку

TYPE [ Ім'я дисковода: ][Шлях\] Повне ім'я файла > PRN

Приклад

^ С:\>TYPE KIS.TXT

С:\>TYPE А:\RED\LEX\KNI.TXT С:\>TYPE \KRAB\BOM.TXT>PRN



Виведення на екран текстового файла, що міститься

KIS.TXT, що зберігається в головному каталозі

активного дисковода.

Виведення на екран текстового файла, що міститься

KNI.TXT.

Друк текстового файла, що міститься

ВОМ.ТХТ, що зберігається в підкаталозі першого

рівня KRAB поточного дисковода З.





^ Команда DEL видалення файлів

Командою DEL ви скористаєтеся для видалення файлів. Можна видаляти як один файл, так і групу файлів, вказуючи в імені файла * або? . Формат команди

^ DEL Ім'я дисковода: ПутьХ Повне ім'я файла [/ Р]

Примітка. 1. Параметр /Р служить для виведення на екран запиту на підтвердження видалення.

2. При введенні команди видалення всіх файлів (повне ім'я файла записується у вигляді *.*) операційна система задасть питання

Are You sure (Y/N)? (Ви упевнені? )


Приклад .

^ С:\>DEL TOST.ASM

С:\>DEL А:\AR\BIM.TXT С:\>DEL\A1\A2\*.BAS С:\F1>DEL F2\*.* /Р

Якщо ви не передумали, натисніть клавішу <Y>, в іншому випадку клавішу .

Видалення файла TOST.ASM з головного каталога поточного дисковода C.

Видалення файла BIM.TXT з підкаталогу 1-го рівня AR пасивного дисковода А.

Видалення всіх файлів типу. BAS з підкаталогу 2-го рівня А2 поточного дисковода З.

Видалення з підтвердженням всіх файлів з підлеглого поточному каталогу F1 підкаталогу 2-го рівня F2 поточного дисковода З.

^ Команда COPY копіювання файлів

Цією командою ви будете користуватися для створення списів існуючих файлів. Крім цієї основної функції команда COPY буде корисна і для виконання двох допоміжних функцій:

• виведення, що міститься на зовнішній пристрій;

• об'єднання що міститься декількох файлів.

Команда COPY допускає виконання функцій над групою файлів, і тоді в іменах файлів використовуються символи * і? .

Формат команди для копіювання файлів



Примітка. Параметр /V контролює процес копіювання.

У команді COPY вказуються дві групи параметрів:

• названих джерелом для файла, що копіюється;

• названих приймачем для отриманого файла.

Обов'язковим параметром є тільки повне ім'я файла джерела. Всі інші параметри ви задаєте по мірі потреби. Якщо ви копіюєте файл (групу файлів) з тим же ім'ям (іменами), то досить указати тільки повне ім'я файла-джерела. Ім'я дисковода і шлях потрібні при роботі з пасивним дисководом і каталогом.

Приклад .

^ С:\>COPY KIT.PAS А:

С:\>COPY A1\A2\KRIK.TXT \B1\B2\B3
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   30

Похожие:

Забезпечує її адаптивність до різноманітних застосувань у iconЗакон україни
Служби безпеки України, Служби зовнішньої розвідки України, центрального органу виконавчої влади, що реалізує державну політику у...

Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
zadocs.ru
Главная страница

Разработка сайта — Веб студия Адаманов