1. физические основы работы полупроводниковых приборов




Название1. физические основы работы полупроводниковых приборов
Дата публикации03.08.2013
Размер31.8 Kb.
ТипДокументы
zadocs.ru > Физика > Документы
1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

  1. Энергетические уровни и зоны. Проводники, полупроводники и диэлектрики. Собственная электропроводность полупроводников.

  2. Распределение электронов по энергетическим уровням. Примесная электропроводность полупроводников. Донорные примеси. Акцепторные примеси.

  3. Дрейф носителей заряда. Диффузия носителей заряда. Электрические переходы. \

  4. Электронно-дырочный переход. Вентильное свойство p–n-перехода.

  5. Вольт-амперная характеристика р–n-перехода. Виды пробоев p–n-перехода. Ёмкость р–n-перехода


^ 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

  1. Классификация диодов. Выпрямительные диоды. Особенности вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов

  2. Импульсные диоды. Туннельные диоды. Обращенный диод. Диоды Шоттки

  3. Варикапы. Стабилитроны. Стабисторы. Параметрический стабилизатор напряжения

  4. Применение полупроводниковых диодов. Однофазная однополупериодная схема выпрямления. Однофазная однополупериодная схема выпрямления со сглаживающим фильтром.

  5. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой. Однофазная мостовая схема


^ 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

  1. Классификация, транзисторов. Классификация Биполярных транзисторов. Структура и основные режимы работы

  2. Физические процессы в биполярном транзисторе. Cтатические характеристики биполярного транзистора

  3. Схема с общей базой. Статические характеристики для схемы с общей базой

  4. Схема с общим эмиттером. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером

  5. Схемы включения транзистора. Схема с общим коллектором

  6. Эквивалентные схемы транзистора. Транзистор как линейный четырехполюсник

  7. Режимы работы транзистора. Предельные режимы работы транзистора. Расчёт рабочего режима транзистора

  8. Динамические характеристики транзистора

  9. Режимы работы усилительных каскадов. Режим класса А. Режим класса В. Режим класса АВ. Режим класса С. Режим класса D

  10. Влияние температуры на работу усилительных каскадов.

  11. Схема эмиттерной стабилизации

  12. Схема коллекторной стабилизации

  13. Составной транзистор

  14. Усилители постоянного тока

  15. Дифференциальные усилители

  16. Операционный усилитель

  17. Основные схемы на операционных усилителях


^ 4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

  1. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов

  2. Статические характеристики полевых транзисторов. Основные параметры полевых транзисторов

  3. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом

  4. Комбинированные транзисторы


5. ТИРИСТОРЫ

  1. Динисторы. Триодные тиристоры. Способы запирания тиристоров

  2. Запираемые тиристоры. Симметричные тиристоры

  3. Основные параметры тиристоров. Применение тиристоров

  4. Управляемые выпрямители. Регуляторы переменного напряжения


6. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

  1. Классификация оптоэлектронных приборов .Индикаторные приборы

  2. Электронно-лучевые индикаторы. Полупроводниковые индикаторы

  3. Жидкокристаллические индикаторы. Фотоэлектрические приборы


7. ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

  1. Пассивные компоненты электронных устройств

Добавить документ в свой блог или на сайт

Похожие:

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconИсследование процесса контактной фотолитографии
...

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconВопросы к модульному
Физические основы электрокардиографии. Физические основы реографии. Действие постоянного тока на ткани организма. Воздействие переменными...

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconБ. Ю. Каплан физические основы получения информации
Физические основы получения информации: учебное пособие: в 2 ч. – М.: Мгупи, 2007. – Часть – с. 129

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconТема 1 Основы физики полупроводниковых диодов
В полупроводниках удельное электрическое сопротивление принято измерять для 1см3 материала

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconЛабораторная работа №1
Цель работы: изучение технологических процессов сборки и монтажа бескорпусных полупроводниковых больших интегральных микросхем

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconВопросы к экзамену по физике по разделам «Физические основы механики»,...
Материальная точка. Система отсчета. Скорость и ускорение. Траектория, путь, перемещение. Уравнение траектории

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconКлассы точности измерительных приборов
Лабораторные прибора- приборы высокой точности, применяемые в лабораториях для измерения, градуирования и поверки показаний других...

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconМетодические указания содержат 4 лабораторные работы по дисциплине «Электроника»
«Электроника» для студентов бакалавров (направление 550200 «Автоматизация и управление»), а также могут быть использованы при изучении...

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconПлан принцип работы пк. Классификация пк внутреннее устройство пк
С давних времен люди стремились облегчить свой труд. С этой целью создавались различные машины и механизмы, усиливающие физические...

1. физические основы работы полупроводниковых приборов iconI. Экзаменационные вопросы 1
«Физические основы механики. Статистическая физика и термодинамика» дисциплины «Физика»

Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
zadocs.ru
Главная страница

Разработка сайта — Веб студия Адаманов